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快科技2月27日消息，据国外媒体最新报道，三星将于今年下半年开始运用中国存储专利技术生产相关芯片。
近期，三星电子已与中国存储芯片厂商长江存储签署了关于开发堆叠400多层NAND Flash所需“混合键合”技术的专利许可协议。
据消息人士透露，三星计划在2025年下半年量产下一代V10 NAND，届时将采用长江存储的专利技术，尤其是在“混合键合”技术方面。
三星之所以选择向长江存储获取“混合键合”专利授权，主要是因为长江存储目前在“混合键合”技术领域处于全球领先地位。并且三星经过评估后认为，从下一代V10 NAND开始，已无法避开长江存储专利的影响。
对于中国存储行业而言，这无疑是令人振奋的消息。毕竟我们实现了从落后到赶超的跨越，这也从侧面彰显了中国科技自主创新的成果。
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